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功能簡(jiǎn)介

現(xiàn)代寬禁帶功率器件 (SiC, GaN) 上的開關(guān)晶體管速度越來越快，使得測(cè)量和表征成為相當(dāng)大的挑戰(zhàn)。AQG 324特別突出了功率循環(huán)試驗(yàn)，在整個(gè)SiC-MOSFET壽命試驗(yàn)相關(guān)內(nèi)容中，功率循環(huán)試驗(yàn)不僅被列為首項(xiàng)，且占據(jù)的篇幅超過其他所有試驗(yàn)項(xiàng)目之和。